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BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替..关损耗大幅降低，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。

BASiC基本半导体混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二极管，基本SiC二极管极小Qrr，有效降低对管IGBT开通损耗，且自身反向恢复损耗Erec也明显降低，IGBT开通损耗随温度的影响很小，降低EMI，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块，移动储能逆变器功率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。

BASiC基本半导体碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具备开关中的小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、... [详细介绍]